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Module IXFN38N100Q2 IXFN36N100Q2 MOSFET de puissance HiperFET pour commutation rapide

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Performance et fiabilité avec le module MOSFET IXFN38N100Q2

Le module IXFN38N100Q2 ainsi que la version IXFN36N100Q2 représentent des solutions de commutation de puissance incontournables pour les ingénieurs exigeants. Conçus pour supporter des tensions élevées, ces composants gèrent efficacement l'énergie électrique au sein des installations industrielles lourdes. Grâce à leur boîtier SOT-227 hautement isolé, ils garantissent une sécurité thermique optimale lors des phases de fonctionnement intensif.

Une technologie de pointe pour la réduction des pertes électriques

Ce transistor de puissance intègre la technologie HiperFET permettant une vitesse de commutation ultra-rapide. En réduisant le temps de charge de la grille, le système limite drastiquement les pertes d'énergie sous forme de chaleur. Vous profitez d'un rendement global nettement amélioré pour vos circuits de conversion de courant, ce qui prolonge la durée de vie de l'ensemble de votre armoire électrique.

Spécifications techniques du module de puissance

CaractéristiqueValeur Spécifique
Modèles compatiblesIXFN38N100Q2 / IXFN36N100Q2
Type de boîtierSOT-227B MiniBLOC
Technologie interneHiperFET MOSFET
Tension Drain-Source (Vdss)1000 V
Résistance Rds(on) max0.25 Ohms

Des applications variées pour la gestion d'énergie

  • Onduleurs industriels : Conversion fluide du courant continu en alternatif.
  • Alimentations à découpage (SMPS) : Régulation stable de la tension pour les serveurs.
  • Contrôleurs de moteurs : Gestion précise des phases d'accélération et de freinage.

En choisissant le module de puissance IXFN38N100Q2, vous éliminez les risques de surchauffe et de pannes intempestives sur vos lignes de production.

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